STB4NK60Z-1參數(shù):MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB4NK60Z-1ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:SuperMESH™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2歐姆@2A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):26nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):510pF@25V功率-最大值:70W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:I2PAK