STB3NK60ZT4參數(shù):MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單其它有關文件: STB3NK60ZViewAllSpecifications標準包裝:1,000系列:SuperMESH™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):2.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.6歐姆@1.2A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):11.8nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):311pF@25V功率-最大值:45W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D2PAK