STB30NF10T4參數(shù):MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關文件: STB30NF10ViewAllSpecifications標準包裝:1,000系列:STripFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):45毫歐@15A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):55nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1180pF@25V功率-最大值:115W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D2PAK