STB27NM60ND參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB27NM60NDViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：FDmesh™II包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：21A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@10.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：80nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2400pF@50V功率-最大值：160W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
