STB23NM60ND參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關文件： STB23NM60NDViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：FDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：19.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：180毫歐@10A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：70nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2050pF@50V功率-最大值：150W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
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