STB20N65M5參數(shù)：MOSF N CH 650V 18A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB20N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：Mdmesh™V包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：190毫歐@9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1434pF@100V功率-最大值：130W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
