STB180N55F3參數(shù):MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB180N55F3ViewAllSpecifications標準包裝:1,000系列:STripFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):120A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.5毫歐@60A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):100nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):6800pF@25V功率-最大值:330W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK