STB12NM50ND參數(shù):MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB12NM50NDViewAllSpecifications標準包裝:1,000系列:FDmesh™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):500V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):380毫歐@5.5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):850pF@50V功率-最大值:100W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK