STB120N4F6
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STB120N4F6參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STB120N4F6ViewAllSpecifications
特色產(chǎn)品： STripFETVIDeepGATESeriesPowerMOSFETs
標準包裝：50
系列：STripFET™DeepGATE™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4毫歐@40A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：65nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3850pF@25V
功率-最大值：110W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK