STB11NM60FDT4參數：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STB11NM60FDViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：FDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@5.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@25V功率-最大值：160W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
<ul id="a0occ"></ul>
<fieldset id="a0occ"></fieldset>
