STB11N52K3
PDF資料下載

STB11N52K3參數(shù)：MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STB11N52K3ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：SuperMESH3™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：525V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：510毫歐@5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：51nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1400pF@50V
功率-最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK