SPN02N60C3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation18/Dec/2009標(biāo)準包裝：1,000系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：400mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@1.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@25V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
