SP8M8FU6TB參數(shù):MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:N 和 P 溝道FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):6A,4.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10.1nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):520pF @ 10V功率 - 最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N