SP8M6TB
PDF資料下載

SP8M6TB參數(shù)：MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A，3.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：51毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.9nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：230pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN