<ul id="iiycm"></ul>
<del id="iiycm"></del>
SP8M4FU6TB參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：9A，7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1190pF @ 10V功率 - 最大值：2W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
