SKB02N120參數(shù):IGBT 1200V 2A 62W TO263-3-2
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:1,000系列:-包裝:帶卷 (TR)IGBT 類型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.6V @ 15V,2A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.6A功率 - 最大值:62WSwitching Energy:220µJ輸入類型:標準Gate Charge:11nCTd (on/off) A 25°C:23ns/260nsTest Condition:800V, 2A, 91 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr):50ns封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TO263-3-2