SIZ300DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 3X3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列特色產(chǎn)品： PowerPAIR?標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2N溝道（雙）非對稱型FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A，28A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：24毫歐@9.8A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@15V功率-最大值：16.7W，31W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerWDFN供應(yīng)商器件封裝：*
