SIZ900DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
類別：分立半導體產品-FET - 陣列特色產品： PowerPAIR?標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2N溝道（雙）非對稱型FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：24A，28A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.2毫歐@19.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1830pF@15V功率-最大值：48W，100W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應商器件封裝：6-PowerPair?
