SIZ920DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列特色產(chǎn)品： PowerPAIR?標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N通道（半橋）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：22A，32A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：7.1毫歐@18.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：35nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1260pF@15V功率-最大值：4.3W，5.2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?
