SIZ918DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 14.3A, 26A 6X5
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列特色產(chǎn)品： PowerPAIR?標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：14.3A，26A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：12毫歐@13.8A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：790pF@15V功率-最大值：4.2W，5.2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?
