SIZ916DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET?Gen IV包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：16A，40A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6.4 毫歐 @ 19A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1208pF @ 15V功率 - 最大值：22.7W， 100W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?
