SIZ710DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列特色產(chǎn)品： PowerPAIR?標(biāo)準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2N溝道（雙）非對稱型FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：16A，30A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.8毫歐@19A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：820pF@10V功率-最大值：3.9W，4.6W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?
