SIZ700DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：16A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 10V功率 - 最大值：2.36W，2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應商器件封裝：6-PowerPair?
