SIRA18DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CHAN 30V D-S SO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET?Gen IV包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：33A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7.5 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21.5nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 15V功率 - 最大值：14.7W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SO-8供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8
