SIR890DP-T1-GE3參數(shù):MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品: N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETs標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):50A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2.9毫歐@10A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.6V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):60nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2747pF@10V功率-最大值:50W安裝類型:表面貼裝封裝:PowerPAK?SO-8供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK?SO-8