SIR862DP-T1-GE3參數(shù):MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):25V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):50A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 15A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):90nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3800pF @ 10V功率 - 最大值:69W安裝類型:表面貼裝封裝:PowerPAK? SO-8供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK? SO-8