SIR804DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： ThunderFET?標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.2毫歐@20A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：76nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2450pF@50V功率-最大值：104W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK?SO-8供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SO-8
