SIR422DP-T1-GE3參數(shù):MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):6.6 毫歐 @ 20A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):48nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1785pF @ 20V功率 - 最大值:34.7W安裝類型:表面貼裝封裝:PowerPAK? SO-8供應商器件封裝:PowerPAK? SO-8