SIHU7N60E-GE3參數(shù)：MOSFET N CH 600V 7A TO-251
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：E 系列包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：680pF @ 100V功率 - 最大值：78W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應商器件封裝：I-Pak
