SIHP5N50D-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.5 歐姆 @ 2.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：325pF @ 100V功率 - 最大值：104W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
