SIHP18N50C-E3
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SIHP18N50C-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 18A TO220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： SiHP18N50C/SiHG20N50CMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：散裝
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：270毫歐@10A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：76nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2942pF@25V
功率-最大值：223W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB