SIE802DF-T1-E3
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SIE802DF-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： VishaySiliconixPolarPAK?PowerMOSFETsWithDouble-SidedCooling
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.9毫歐@23.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：160nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7000pF@15V
功率-最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（L）
供應商器件封裝：10-PolarPAK?（L）