SIB914DK-T1-GE3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：113 毫歐 @ 2.5A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2.6nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：125pF @ 4V功率 - 最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙
