SIB900EDK-T1-GE3參數：MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：225 毫歐 @ 1.6A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙供應商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙
<strike id="iguma"></strike>
