SIA975DJ-T1-GE3
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SIA975DJ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：41 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 6V
功率 - 最大值：7.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙