SIA914DJ-T1-GE3
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SIA914DJ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
特色產(chǎn)品： PowerMOSFETsinPowerPAK?SC-70Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.5A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：53毫歐@3.7A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：11.5nC@8V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：400pF@10V
功率-最大值：1.9W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SC-70-6雙
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SC-70-6雙