SIA414DJ-T1-GE3
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SIA414DJ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11毫歐@9.7A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1800pF@4V
功率-最大值：19W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SC-70-6
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SC-70-6單