SIA413DJ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： PowerMOSFETsinPowerPAK?SC-70Package標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：12A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：29毫歐@6.7A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：57nC@8V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1800pF@10V功率-最大值：19W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：PowerPAK?SC-70-6供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SC-70-6單
