SI9434BDY-T1-E3
PDF資料下載

SI9434BDY-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 6.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N