SI8487DB-T1-E1參數(shù)：MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：-不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：80nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2240pF @ 15V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：4-UFBGA供應(yīng)商器件封裝：4-Microfoot
