SI8466EDB-T2-E1
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SI8466EDB-T2-E1參數(shù)：MOSFET N-CHAN 8V D-S MICROFOOT

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： N-Channel8V(D-S)MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：43毫歐@2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：710pF@4V
功率-最大值：780mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-UFBGA，WLCSP
供應(yīng)商器件封裝：4-Microfoot