SI8424CDB-T1-E1參數(shù)：MOSFET N-CHAN 8V D-S MICROFOOT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： N-Channel8V(D-S)MOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：20毫歐@2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：40nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2340pF@4V功率-最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：4-UFBGA，WLCSP供應(yīng)商器件封裝：4-Microfoot
