SI8416DB-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：16A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 1.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1470pF @ 4V功率 - 最大值：13W安裝類型：表面貼裝封裝：6-UFBGA供應商器件封裝：6-microfoot
