SI7962DP-T1-E3
PDF資料下載

SI7962DP-T1-E3參數：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7.1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 11.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：70nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8