SI7940DP-T1-E3
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SI7940DP-T1-E3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 11.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8 雙
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8 Dual