SI7900AEDN-T1-E3參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? 1212-8供應商器件封裝：PowerPAK? 1212-8
