SI7784DP-T1-GE3
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SI7784DP-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETswithTurboFET?
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@20A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1600pF@15V
功率-最大值：27.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SO-8
供應商器件封裝：PowerPAK?SO-8