SI7655DN-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： Si7655DN,?20VP-ChannelMOSFET標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：40A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.6毫歐@20A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：225nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6600pF@10V功率-最大值：57W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK?1212-8供應商器件封裝：PowerPAK?1212-8
