SI7485DP-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):12.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 20A,4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):150nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:PowerPAK? SO-8供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK? SO-8