SI7138DP-T1-E3
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SI7138DP-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：WFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.8 毫歐 @ 19.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：135nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6900pF @ 30V
功率 - 最大值：96W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8